产品详情
| 产品 | 产品介绍 | 关键性能描述 |
| KrF光刻胶 | KrF光刻胶是以氟化氪(KrF)激光(波长248nm)为曝光光源的光刻胶,由成膜树脂、光酸、溶剂及助剂等配制而成,具有高分辨率、耐刻蚀等优点,主要应用于0.13μm以上线宽的半导体光刻工艺。公司目前已开发的KrF光刻胶产品适用工艺包括Poly、AA、Metal、Implant、Contact Hole、Via等,应用领域包括存储,逻辑以及CIS特色工艺(高深宽比应用)。 | 膜厚100-5000nm CD ≥120 nm |
| ArFi光刻胶 | 浸没式ArF光刻胶是以氟化氩(ArF)激光(波长193nm)为曝光光源的光刻胶,主要用于45nm以下集成电路制造技术节点。公司已开发的浸没式ArF 光刻胶产品包括正显影(PTD)和负显影(NTD)两类,适用工艺包括Poly、Metal、Contact Hole、Via等,应用领域涉及存储(3D NAND, DRAM)和高性能逻辑器件。 | 膜厚50-200nm CD ≥37.5 nm |
关键词:晶圆光刻胶
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晶圆光刻胶
晶圆光刻胶是半导体光刻制程中最关键的核心材料。在光刻过程中,光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上,再经刻蚀工艺实现电路图形转移到硅片上。随着集成电路线宽缩小、集成度的提升,光刻胶开发技术难度大幅增加,成为延续摩尔定律的关键技之一。
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具备优异的光学、力学性能
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