抛光液

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抛光液

多晶硅抛光液

用于集成电路制造工艺中多晶硅的去除和平坦化，具有高多晶硅去除速率，高稀释比、低缺陷率的特点。产品已经在存储器件量产中使用。

氮化硅抛光液

用于集成电路制造工艺中STI buff/ILD/SAC等制程氮化硅的去除和平坦化，具有碟形效应修复能力强，栅极高度精准控制的优点，在28nm/14nm等逻辑器件制造中广泛应用。

介电材料抛光液

用于集成电路制造工艺中介电层材料（氧化硅）的去除和平坦化，具有高去除速率，高稀释比、低缺陷率的特点。产品已经在存储器件生产中量产使用。

硅衬底抛光液

在集成电路制造中，用于硅片表面化学机械抛光(CMP)，有去除速率高，表面缺陷率低的特点。

钨栅极抛光液

搭载自产氧化铝研磨粒子，用于逻辑器件制造工艺中金属钨栅极材料的去除和平坦化，具有高平坦化效率，高选择比，低缺陷率的特点。产品已经在先进制程逻辑器件生产中量产使用。

钨抛光液

用于集成电路制造工艺中金属钨材料的去除和平坦化，选择比可控，满足选择比定制需求，低缺陷率，高阶或先进工艺使用。已经在逻辑器件生产中量产使用。

铜阻挡层抛光液

用于集成电路制造铜互连工艺中阻挡层的去除和平坦化，选择性抛光铜与阻挡层，高平整度、低缺陷，低腐蚀或碟形凹陷。

铜抛光液

用于集成电路制造工艺中金属铜的去除和平坦化，具有高去除速率，高稀释比，低缺陷等特点。

铝栅极抛光液

搭载自产氧化铝研磨粒子，用于集成电路制造工艺中金属铝栅极材料的去除和平坦化修复，具有高平坦化效率，高选择比，低缺陷率的特点。产品已经在逻辑器件制造中使用。

氧化铈抛光液

搭载自产氧化铈研磨粒子，用于集成电路制造工艺中介电层材料（氧化硅）的去除和平坦化，STI结构的构建中。具有高氧化硅去除速率，高平坦化效率、低碟形效应、低缺陷率的特点。

铝磨料

HKMG slurry使用研磨粒子，应用于Al和W高精度抛光。具有硬度高，研磨速率快，CMP后缺陷少的特点。

铈磨料

STI＆ILD slurry使用研磨粒子，拥有丰富的活性位点，可以实现氧化硅的快速去除。具有研磨速度快，平坦化效率高的特点。

超纯硅磨料

先进工艺CMP slurry中的核心原料。广泛用于前段工艺及先进制程的金属互连工艺。具有硬度低，缺陷少的特点。

高纯硅磨料

用于集成电路制造工艺中各制程中slurry设计，提供机械研磨力以及化学组分吸附位点，可用作快速去除与选择比控制高的场景。